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	一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片
	邓昀; 曲轶; 张晶; 乔忠良; 李辉; 李梅; 芦鹏; 王玉霞; 高欣; 李占国
	2009-07-08
著作权人	长春理工大学
专利号	CN101478114A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片
英文摘要	本发明涉及一种制造半导体激光器芯片绝缘膜层的技术，该技术属于半导体发光器件的介质膜制造领域。传统制造绝缘膜层的技术应用热蒸发、溅射或各种CVD技术，在器件外延片表面沉积SiO2或Si3N4薄层作为绝缘膜，这些传统技术及其所产生的膜层会对外延材料表面造成损伤。本发明使用脉冲阳极氧化的方法，以外延材料中的Al、As等元素为原料反应生成绝缘膜层，克服了在传统制造绝缘层工艺中存在的问题。该发明可应用于半导体发光器件的制造领域。本发明还涉及一种应用脉冲阳极氧化技术制作的，专门应用在无需制冷长期连续稳定运转的光纤通讯设备中的边发射型长波长GaInNAs量子阱半导体激光器芯片，该激光器的波长专门针对G.652光纤的第2窗口，本器件属于半导体发光器件领域。
公开日期	2009-07-08
申请日期	2009-01-16
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66367]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邓昀,曲轶,张晶,等. 一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片. CN101478114A. 2009-07-08.

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