| オプトエレクトロニック半導体装置 | |
| アドリアーン ファルステル; カロルス ヨハネス ファン デル プル; イェルン ヤン ランベルタス ホリックス | |
| 1995-03-03 | |
| 著作权人 | PHILIPS ELECTRON NV |
| 专利号 | JP1995058418A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | オプトエレクトロニック半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 使用中の隣接するレーザ間に漏話が存在しないかまたは既知の装置の場合よりも少なくとも充分に漏話を低減し得るようにしたオプトエレクトロニック半導体装置を提供せんとするものである。 【構成】 第1半導体ダイオードレーザ11及び第2半導体ダイオードレーザ12のアレイと、半導体本体10とを具え、この半導体本体には1導電型の第1クラッディング層2、第1及び第2レーザ11及び12の第1及び第2能動領域31及び32が夫々位置する能動層3及び前記第1クラッディング層とは反対導電型の第2クラッディング層4をこの順序で具える半導体層状構体を配置させる1導電型の半導体基板1を設け、これら第1および第2クラッディング層には半導体本体表面13から基板1内に延在する条溝20によって互に分離された第1及び第2レーザ11及び12の電気接続手段5,6,7,8,9を設けるようにし、前記条溝20はその深さDの主部分dを前記基板1内に位置させるようにしてレーザの漏話を著しく少なくする。 |
| 公开日期 | 1995-03-03 |
| 申请日期 | 1994-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PHILIPS ELECTRON NV |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アドリアーン ファルステル,カロルス ヨハネス ファン デル プル,イェルン ヤン ランベルタス ホリックス. オプトエレクトロニック半導体装置. JP1995058418A. 1995-03-03. |
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