| 平坦化半导体器件和钝化层的方法 | |
| P·弗里斯; J·汉伯格 | |
| 2005-10-19 | |
| 著作权人 | 英特尔公司 |
| 专利号 | CN1685487A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 平坦化半导体器件和钝化层的方法 |
| 英文摘要 | 根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度，其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感，提供器件侧壁的完整钝化，保护器件不受蚀刻引起的损害，和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造，诸如，但不受限于，蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。 |
| 公开日期 | 2005-10-19 |
| 申请日期 | 2003-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 英特尔公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P·弗里斯,J·汉伯格. 平坦化半导体器件和钝化层的方法. CN1685487A. 2005-10-19. |
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