利用镀膜技术制备的一体化微片激光介质及器件
林炎富; 黄艺东; 陈雨金; 龚兴红; 罗遵度; 谭奇光
2007-08-29
著作权人中国科学院福建物质结构研究所
专利号CN101026284A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名利用镀膜技术制备的一体化微片激光介质及器件
英文摘要利用镀膜技术制备的一体化微片激光介质及器件,涉及固体激光材料和器件领域。在透明的基体材料、调Q片、非线性光学晶体或受激拉曼频移材料上,采用镀膜技术制备可产生出基波固体激光的微片激光介质,得到一个半导体激光或其它合适光源泵浦,并具有调Q、变频或频移功能的一体化微片激光器件,将半导体激光或其它光源发光有效地转变成为具有实际应用价值的连续、脉冲或不同波长的固体激光输出。本发明克服了以往液相外延生长方法制备周期较长,而且衬底和微片介质基质只能是同一晶体或者晶体结构参数非常接近的同类晶体的缺点。
公开日期2007-08-29
申请日期2006-02-24
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65643]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
林炎富,黄艺东,陈雨金,等. 利用镀膜技术制备的一体化微片激光介质及器件. CN101026284A. 2007-08-29.
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