| 外延衬底及其制造方法 | |
| 罗伯特・德维林斯基; 罗曼・多拉津斯基; 耶日・加尔钦斯基; 莱谢克・西尔兹普托夫斯基; 神原康雄 | |
| 2006-01-18 | |
| 著作权人 | 阿莫诺公司 |
| 专利号 | CN1723303A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外延衬底及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。 |
| 公开日期 | 2006-01-18 |
| 申请日期 | 2003-12-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65549]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿莫诺公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗伯特・德维林斯基,罗曼・多拉津斯基,耶日・加尔钦斯基,等. 外延衬底及其制造方法. CN1723303A. 2006-01-18. |
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