氮化物系半导体激光器元件 | |
久纳康光 | |
2012-08-01 | |
著作权人 | 三洋电机株式会社 |
专利号 | CN102623892A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 氮化物系半导体激光器元件 |
英文摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体激光器元件,其具备基板和半导体元件层,该半导体元件层具有活性层且形成在基板的主表面上。半导体元件层包括:具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上大致不具有偏倾角度的第一主表面的第一区域;和具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上具有偏倾角度的第二主表面的第二区域。而且,在半导体元件层的第一区域上形成有脊部(3)。 |
公开日期 | 2012-08-01 |
申请日期 | 2011-12-15 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65540] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 久纳康光. 氮化物系半导体激光器元件. CN102623892A. 2012-08-01. |
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