| 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 | |
| 张靖; 赵玲娟; 王圩 | |
| 2006-03-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN1747264A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括：利用金属有机物化学气相淀积的方法在n型InP衬底上依次外延下限制层，多量子阱，上限制层，InP缓冲层；淀积介质膜；掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区留下介质膜，其余区域腐蚀掉介质膜；进行P离子注入，然后腐蚀掉表面剩下的介质膜；在表面重新淀积介质膜；快速热退火；腐蚀掉介质膜7，InP缓冲层；在波导区制作光栅；刻蚀阻止层；制作脊型结构，形成波导；利用掩膜光刻，并进行光刻腐蚀，形成隔离沟，大面积淀积SiO2层，并进行He离子注入使隔离沟成为高阻区；在脊形条上开电极窗口，溅射P面电极，减薄后，背面蒸发N面电极；解理出单个波长可调谐分布布拉格反射激光器管芯。 |
| 公开日期 | 2006-03-15 |
| 申请日期 | 2004-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张靖,赵玲娟,王圩. 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法. CN1747264A. 2006-03-15. |
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