| 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 | |
| 罗帅; 季海铭; 高凤; 杨涛 | |
| 2015-04-22 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104538843A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；在脊型条结构的上面开电极窗口；在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极；将InP衬底减薄、抛光；在InP衬底的背面蒸镀N面电极；退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。 |
| 公开日期 | 2015-04-22 |
| 申请日期 | 2014-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗帅,季海铭,高凤,等. 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法. CN104538843A. 2015-04-22. |
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