| 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法 | |
| 刘国军; 单少杰; 郝永芹; 魏志鹏; 冯源; 李特; 安宁; 周路; 罗扩郎; 陈芳 | |
| 2013-12-18 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN103454703A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法 |
| 英文摘要 | 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜，使其构成复合腔结构，可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单，原料基本无毒，可控性较好。 |
| 公开日期 | 2013-12-18 |
| 申请日期 | 2013-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65470]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘国军,单少杰,郝永芹,等. 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法. CN103454703A. 2013-12-18. |
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