| 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法 | |
| 李效民; 边继明; 张灿云; 赵俊亮 | |
| 2005-12-14 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 专利号 | CN1707752A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法，属于半导体材料领域。本发明配制锌源和氮源构成摩尔配比为Zn2+∶NH4 +＝1∶(1－3)的先驱体溶液，经超声波雾化器雾化，雾化后的载气经气液分离管进入成膜室，在常压下单晶硅片、石英玻璃片或蓝宝石片衬底表面沉积成p－ZnO薄膜并控制衬底温度控制在500－800℃。本发明所制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－2－10－3Ωcm，迁移率最高可达145cm2V－1s－1，同时具有强的室温紫外发光特性和较高的结晶质量可满足氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。本发明具有工艺简单易行，操作方便，原料丰富，制作成本低的特点。 |
| 公开日期 | 2005-12-14 |
| 申请日期 | 2004-06-09 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李效民,边继明,张灿云,等. 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法. CN1707752A. 2005-12-14. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论