一种高功率半导体激光器系统及其制备方法

	一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
	张普; 刘兴胜; 熊玲玲; 王贞福; 聂志强
	2014-12-03
著作权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
专利号	CN104184044A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
英文摘要	本发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法，以提高半导体激光器的可靠性，从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单，能够降低半导体激光器整体成本；能够大大提高半导体激光器的工作寿命，避免了不必要的损失。
公开日期	2014-12-03
申请日期	2014-08-20
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65209]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张普,刘兴胜,熊玲玲,等. 一种高功率半导体激光器系统及其制备方法. CN104184044A. 2014-12-03.