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	电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法
	汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
	2011-05-11
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN102055133A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法
英文摘要	本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单，可靠性高，消除了热电子对激光器性能的影响，提高了激光器的特征温度，可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。
公开日期	2011-05-11
申请日期	2009-11-04
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65165]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	汪洋,赵玲娟,朱洪亮,等. 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法. CN102055133A. 2011-05-11.

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