| 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器 | |
| 王智勇; 王青; 尧舜; 郑建华; 高鹏坤 | |
| 2015-01-28 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN104319626A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。 |
| 公开日期 | 2015-01-28 |
| 申请日期 | 2014-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65120]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,王青,尧舜,等. 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器. CN104319626A. 2015-01-28. |
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