| 一种调节占空比的刻蚀方法 | |
| 尚飞; 郭海侠; 冯晓芳 | |
| 2017-12-08 | |
| 著作权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 专利号 | CN107450118A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种调节占空比的刻蚀方法 |
| 英文摘要 | 本申请提供了一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，该方法包括：将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对所述刻蚀材料进行刻蚀。以实现在不改变全息曝光工艺的前提下，在半导体激光器芯片制造工艺的全息曝光制备光栅过程中，使得对占空比连续调节且占空比大于0.5。 |
| 公开日期 | 2017-12-08 |
| 申请日期 | 2017-06-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚飞,郭海侠,冯晓芳. 一种调节占空比的刻蚀方法. CN107450118A. 2017-12-08. |
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