| 一种BCB掩埋高速DFB半导体激光器的制备方法 | |
| 薛贤铨 | |
| 2017-08-15 | |
| 著作权人 | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
| 专利号 | CN107046227A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种BCB掩埋高速DFB半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种BCB掩埋高速DFB半导体激光器的制备方法，包括以下步骤在基片的衬底层上一次外延生长出外延层，得到片子；再对所述片子进行光栅的制备，并对所述光栅进行外延生长成外延片；2.对所述外延片进行光刻、干法刻蚀和湿法腐蚀，形成具有到台面的脊形波导结构，所述脊形波导结构的各壁均呈现开口朝外的圆弧状；进行湿法腐蚀至所述外延层的缓冲层上；在所述外延片通过PECVD生长SiO2钝化层，之后对所述外延片进行BCB胶的填充呈初成品；3.对所述初成品表面进行常规光刻、显影，去除所述波导层表面和圆弧区域缓冲层表面区域的BCB胶，并刻蚀去除该区域表面的钝化层形成金属覆盖区，一次性蒸镀P型和N型金属呈半成品；4.对所述半成品进行工艺加工。 |
| 公开日期 | 2017-08-15 |
| 申请日期 | 2017-05-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛贤铨. 一种BCB掩埋高速DFB半导体激光器的制备方法. CN107046227A. 2017-08-15. |
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