| 一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 | |
| 高兴国 | |
| 2015-11-04 | |
| 著作权人 | 齐鲁工业大学 |
| 专利号 | CN105018902A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 |
| 英文摘要 | 稀磁半导体薄膜材料中会出现很多新奇的物理性质，而这些新奇的物理性质为新型自旋器件的研制提供了更广阔的空间，使其在磁感应器、高密度非易失性存储器、光隔离器、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，已成为材料领域中的研究热点之一。传统制备薄膜材料的方法有分子束外延法和金属有机物化学气相沉积等，它们都是平衡生长法，其弊端在于掺杂效率低、设备维护成本高、原材料价格昂贵、生产周期长以及尾气处理过程复杂等。本发明属于半导体技术领域，提供了一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法，具有掺杂效率高、制备成本低、生产周期短以及尾气处理简单等优点，可大大提高生产效率和经济效益。 |
| 公开日期 | 2015-11-04 |
| 申请日期 | 2014-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 齐鲁工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高兴国. 一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法. CN105018902A. 2015-11-04. |
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