| 光電デバイスの製造方法 | |
| ジャン-ピエール イルツ; ジャン-シャルル ガルシア; フィリッペ モーレル | |
| 1993-08-06 | |
| 著作权人 | THOMSON CSF |
| 专利号 | JP1993198898A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光電デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 取りはずし可能な機械的マスクを用いた単一のエピタキシイ工程でデバイスの異なる層を主として製造できる光電デバイスの製造方法を提供する。 【構成】 エピタキシイ室においてエピタキシイを受けるべき基板上でマスクを位置決めする工程と、当該光電デバイスの異なる構成要素層である、第1の光学的閉じ込め層1、活性層2、第2の光学的閉じ込め層3、コンタクト層4、及びマスキング層5をマスクを介して基板上にエピタキシャル成長させる第1のエピタキシイ工程と、エキタピシイ室を開けることなくマスクを取り除く工程と、光学的及び電気的閉じ込め層6をエピタキシャル成長させる第2のエピタキシイ工程と、マスキング層5を及び光学的及び電気的閉じ込め層6の物質を取り除きコンタクト層4を露出させる工程とを備えている。主に埋め込みレーザの製造に適用される。 |
| 公开日期 | 1993-08-06 |
| 申请日期 | 1992-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64862]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THOMSON CSF |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジャン-ピエール イルツ,ジャン-シャルル ガルシア,フィリッペ モーレル. 光電デバイスの製造方法. JP1993198898A. 1993-08-06. |
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