ハイブリッド光導波回路およびその製造方法
山田 泰文; 高木 章宏; 柳澤 雅弘; 吉野 薫; 照井 博
1994-07-22
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
专利号JP1994201930A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名ハイブリッド光導波回路およびその製造方法
英文摘要【目的】 埋め込み型光導波路に光素子を位置精度よく搭載する。 【構成】 基板1上には光導波路2が形成されており、しかも、コア層2bが十分に厚いオーバークラッド層2aで取り囲まれた埋め込み型光導波路となっている。この埋め込み型光導波路に光素子3を精度よく表面実装するため、光素子搭載部I及び光素子ガイドIIを形成し、光素子ガイドIIの上面を基準面2Dとする。これにより基準面2Dとコア層2bの中心との距離と、活性層3aと底面(基準面)3bとの距離を等しくできる。かくて位置精度のよい表面実装をする。
公开日期1994-07-22
申请日期1993-01-07
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64741]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 泰文,高木 章宏,柳澤 雅弘,等. ハイブリッド光導波回路およびその製造方法. JP1994201930A. 1994-07-22.
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