| 金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法 | |
| 陸永瑞; 李泰錫; 亨利W. 懷特 | |
| 2007-03-16 | |
| 著作权人 | 莫克斯托尼克斯股份有限公司 |
| 专利号 | TW200711058A |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法 |
| 英文摘要 | 用於提昇半導體裝置性能的材料與結構包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有鎂以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系統(亦即Zu1-xBexO)中,可改變Be的原子比例x來增加氧化鋅的能帶間隙値,以使其高於氧化鋅的能帶間隙値;而在ZnCdOSe合金系統(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中,可改變Cd的原子比例y與Se的原子比例z來降低氧化鋅的能帶間隙値,以使其低於氧化鋅的能帶間隙値。利用所選擇之摻質元素,所形成的每一種合金可為未經摻雜、p型摻雜、或n型摻雜;這些合金可以單獨或以組合方式加以使用,以形成可發射一定範圍波長値的主動光子層、如單一與多重量子井之異質結構、以及超晶格層或覆層,並可用以製造光學或電子半導體裝置。這些就可用於提昇半導體裝置的功能、容量與性能。 |
| 公开日期 | 2007-03-16 |
| 申请日期 | 2006-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64719]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 莫克斯托尼克斯股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陸永瑞,李泰錫,亨利W. 懷特. 金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法. TW200711058A. 2007-03-16. |
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