| リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法 | |
| ▲ユァン▼ 榮亨; 陳 秋伶; 王 明程 | |
| 2000-01-21 | |
| 著作权人 | IND TECHNOL RES INST |
| 专利号 | JP2000022261A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法 |
| 英文摘要 | 【課題】 歩留まりとデバイスの安定性とを向上させたリッジ導波管半導体レーザーを製造するための自己整合法を提供すること。 【解決手段】 下側フォトレジストODUR1013と、上側フォトレジストAZ5214Eとの2つのフォトレジスト層を用いる。下側層は波長300nm未満の光によってのみ現像可能であり、上側層は波長が300nmより大きい光によってのみ現像可能である。リッジ構造の頂部に開口部を形成する工程で、上側層を現像すると共に下側層を露出すべくG線マスク位置合わせ装置を用いる。更にRIEプロセスを行い、下側層と開口部内の絶縁体とを除去する。RIEプロセスでリッジ構造の側壁を保護するために上側層の残存部分を使用する。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64503]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | IND TECHNOL RES INST |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲ユァン▼ 榮亨,陳 秋伶,王 明程. リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法. JP2000022261A. 2000-01-21. |
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