| 超短光パルス発生装置 | |
| 福嶋 丈浩 | |
| 1993-06-25 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP1993160519A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 超短光パルス発生装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、超短光パルス発生装置に関し、半導体レーザを用いた超小型の超短光パルス発生装置を提供することを目的とする。 【構成】n-GaAs基板1上に分布帰還型半導体レーザ2が形成されている。n-GaAs基板1上であって、分布帰還型半導体レーザ2の発光面に隣接して、いわゆる半導体レーザアンプと同様の光増幅機能を有するダブルへテロ構造の光導波部4が形成されている。レーザ光が入射し透過する光導波部4の両端面には高反射コーティング6が形成されているように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 申请日期 | 1991-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福嶋 丈浩. 超短光パルス発生装置. JP1993160519A. 1993-06-25. |
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