| ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| 楓 弘志; 伊藤 顕知; 川本 和民; 黒沢 久夫; 伊藤 康平; 佐藤 正純 | |
| 1993-10-26 | |
| 著作权人 | 日立金属株式会社 |
| 专利号 | JP1993279193A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長によりニオブ酸リチウム単結晶薄膜を製造する方法において、ルツボ内の溶融体の温度分布及び各成分の混合状態を均一にし、所定膜厚であって光学特性のよいものを製造できるようにした。 【構成】 Li2O、Nb2O5、V2O5を含む原料をルツボ2内で加熱溶融し、その溶融体内に攪拌羽根8を入れて、攪拌羽根を3時間以下上下動するとともに正逆回転して溶融体を均一混合状態にするとともに、温度分布を均一にしてエピタキシャル成長をさせた。 |
| 公开日期 | 1993-10-26 |
| 申请日期 | 1992-04-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64209]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立金属株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 楓 弘志,伊藤 顕知,川本 和民,等. ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法. JP1993279193A. 1993-10-26. |
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