| 半導体構造 | |
| インドレコーファー·ミヒァエル; レート·ハンス; フェルスター·アーノルト | |
| 2007-11-29 | |
| 著作权人 | フォルシュングスツェントルム·ユーリッヒ·ゲゼルシャフト·ミット·ベシュレンクテル·ハフツング |
| 专利号 | JP2007535137A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体構造が、少なくとも1つの第1材料領域及び1つの第2材料領域を有する。この場合、第2材料領域が、第1材料領域をエピタキシャルに包囲して界面を形成する。この構造は、フェルミ準位ピニングが両材料領域の界面に対向する第2材料領域の非エピタキシャル界面に存在し、第1材料領域が自由荷電キャリアに対する量子井戸を形成することを特徴とする。これによって、量子井戸内の制御可能な荷電キャリア濃度が調整され得る。 |
| 公开日期 | 2007-11-29 |
| 申请日期 | 2005-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フォルシュングスツェントルム·ユーリッヒ·ゲゼルシャフト·ミット·ベシュレンクテル·ハフツング |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | インドレコーファー·ミヒァエル,レート·ハンス,フェルスター·アーノルト. 半導体構造. JP2007535137A. 2007-11-29. |
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