| リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
| 多田 仁史 | |
| 1998-08-25 | |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 专利号 | JP1998229246A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電流を増加させることなく高次モードの発生を抑えることができるリッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成された活性層上に、上クラッド層を介してp型又はn型の一方の導電型の半導体からなるリッジ導波路が形成されたリッジ型半導体レーザダイオードであって、リッジ導波路の両側面から内側に、一方の導電型の半導体のキャリヤを減少させるイオンを注入して、該イオンが注入された領域を高抵抗化した。 |
| 公开日期 | 1998-08-25 |
| 申请日期 | 1997-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63894]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 仁史. リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法. JP1998229246A. 1998-08-25. |
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