反波导大光学腔半导体激光器
薄报学; 高欣; 王玉霞; 李辉; 卢鹏; 乔忠良; 曲轶
2008-04-09
著作权人长春理工大学
专利号CN101159366A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名反波导大光学腔半导体激光器
英文摘要反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子,增加有效波导宽度,从而提高输出功率,同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用反向线性渐变折射率结构,有效降低激光器波导的光学限制因子,增加有效波导宽度,采用多量子阱有源层使得器件具有较低的阈值电流。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光光源的制造。
公开日期2008-04-09
申请日期2007-09-12
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63647]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
薄报学,高欣,王玉霞,等. 反波导大光学腔半导体激光器. CN101159366A. 2008-04-09.
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