| 相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法 | |
| 周亚亭; 陈向飞 | |
| 2013-02-06 | |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 专利号 | CN102916340A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2013-02-06 |
| 申请日期 | 2012-09-29 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亚亭,陈向飞. 相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法. CN102916340A. 2013-02-06. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论