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	二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法
	廖开宇; 何君钰; 颜辉
	2013-08-21
著作权人	华南师范大学
专利号	CN103258579A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法
英文摘要	本发明公开了一种二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法，所述系统包括两对反亥姆霍兹线圈、石英真空腔、离子泵、带碱金属释放剂的电流馈通、真空阀、六通接头、第一玻璃窗口、第二玻璃窗口以及第一半导体激光器，所述六通接头的六个开口分别与石英真空腔、离子泵、电流馈通、真空阀、第一玻璃窗口和第二玻璃窗口连接；所述两对反亥姆霍兹线圈分别水平对称放置和竖直对称放置。所述方法使二维磁光阱系统通过冷却光获得长条型的冷原子团，再利用自发辐射四波混频，通过泵浦光和耦合光产生斯托克斯光子和反斯托克斯光子，并对光子进行收集。本发明的二维磁光阱系统制备的窄线宽单光子源线宽为兆赫兹量级，适用于远距离的量子通信。
公开日期	2013-08-21
申请日期	2013-04-19
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63406]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	廖开宇,何君钰,颜辉. 二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法. CN103258579A. 2013-08-21.

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