一种微激光二极管阵列的制备方法 | |
徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 石增良; 林毅; 理记涛; 田正山 | |
2012-07-04 | |
著作权人 | 东南大学 |
专利号 | CN102545060A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种微激光二极管阵列的制备方法 |
英文摘要 | 一种微激光二极管阵列的制备方法,首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴(PF)、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体),然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结,将透明导电薄膜(如:氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(ZAO)等)镀在透明玻璃上,然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金(Au)电极,然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面,然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极,构成完整的器件。 |
公开日期 | 2012-07-04 |
申请日期 | 2012-01-17 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63377] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 东南大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 一种微激光二极管阵列的制备方法. CN102545060A. 2012-07-04. |
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