| 分布反馈半导体激光器及其制造方法 | |
| 金映铉; 李重基; 金仁; 朴晟秀 | |
| 2006-07-05 | |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 专利号 | CN1797876A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 公开了一种以单模振荡的分布反馈半导体激光器及其制造方法。该分布反馈半导体激光器包括：有源层；与有源层相邻形成的覆盖层；以及在覆盖层中周期性地形成并且彼此之间分隔预定距离的衍射光栅。衍射光栅由非导体形成，从而局部阻隔注入到有源层的电流，并且改变增益系数的分布。非导体是氧化的半导体材料。 |
| 公开日期 | 2006-07-05 |
| 申请日期 | 2005-11-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金映铉,李重基,金仁,等. 分布反馈半导体激光器及其制造方法. CN1797876A. 2006-07-05. |
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