半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置

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	半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置
	王鑫; 赵懿昊; 朱凌妮; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇
	2017-10-03
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN107230932A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置
英文摘要	一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤：将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。
公开日期	2017-10-03
申请日期	2017-07-13
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63265]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王鑫,赵懿昊,朱凌妮,等. 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置. CN107230932A. 2017-10-03.