| 一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构 | |
| 尧舜; 雷宇鑫; 王智勇; 邱运涛; 贾冠男; 高祥宇; 吕朝蕙 | |
| 2015-03-11 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN104409966A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构 |
| 英文摘要 | 本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射两种波长激光。本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长一层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有两个不同组分的有源区，成为可以同时发射出两种不同波长光的激光器，并且两种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。 |
| 公开日期 | 2015-03-11 |
| 申请日期 | 2014-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63253]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尧舜,雷宇鑫,王智勇,等. 一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构. CN104409966A. 2015-03-11. |
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