| Manufacturing method for semiconductor apparatus | |
| SHIMA YASUHARU; TSUKADA TOSHIHISA; ONOZATO YOUSEI; SATOU TADASHI | |
| 1976-10-22 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP1976120690A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Manufacturing method for semiconductor apparatus |
| 英文摘要 | PURPOSE:A semiconductor laser with insulating films on the surfaces other than the bottom is bonded to a recess of the base, thereafter simultaneously providing plural electrode-use windows on the surface. |
| 公开日期 | 1976-10-22 |
| 申请日期 | 1975-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62744]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIMA YASUHARU,TSUKADA TOSHIHISA,ONOZATO YOUSEI,et al. Manufacturing method for semiconductor apparatus. JP1976120690A. 1976-10-22. |
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