半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置
佐藤 俊一; 本村 寛; 軸谷 直人; 菅原 悟
2015-02-05
著作权人株式会社リコー
专利号JP2015026845A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置
英文摘要【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】 下部半導体DBRは、熱伝導率の大きい低屈折率層103aとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層103bをペアとし、30.5ペアを含む第1の下部半導体DBR1031と、5ペアを含む第2の下部半導体DBR1032と、1ペアを含む第3の下部半導体DBR1033とを有している。第2の下部半導体DBR1032では、低屈折率層103aは3λ/4の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層103bは、λ/4の光学厚さとなるように設定されている。第3の下部半導体DBR1033は、共振器構造体と第2の下部半導体DBR1032との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ/4の光学厚さとなるように設定されている。 【選択図】図4
公开日期2015-02-05
申请日期2014-09-05
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61953]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社リコー
推荐引用方式
GB/T 7714
佐藤 俊一,本村 寛,軸谷 直人,等. 半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置. JP2015026845A. 2015-02-05.
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