光発振装置及び記録装置
藤田 五郎; 丸山 務
2013-02-04
著作权人SONY CORP
专利号JP2013025836A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光発振装置及び記録装置
英文摘要【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。 【解決手段】GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部2と、ゲイン電流を注入するゲイン部3を含む自励発振半導体レーザ1と、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部2に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部45を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部2に印加する。 【選択図】図1
公开日期2013-02-04
申请日期2011-07-19
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61720]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
藤田 五郎,丸山 務. 光発振装置及び記録装置. JP2013025836A. 2013-02-04.
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