| 面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置 | |
| 福山 博 | |
| 2010-09-24 | |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 专利号 | JP2010212515A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置 |
| 英文摘要 | 【課題】GaAsコンタクト層の厚さが20nm程度以下である780nm帯又は780nm帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、GaAsコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板1上に、下部半導体多層膜反射鏡3、下部スペーサ層4、活性層5、上部スペーサ層6、上部半導体多層膜反射鏡8、コンタクト層9を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層9上に化合物半導体を含む第1の保護膜10を形成する第1の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第1の保護膜10をエッチングしてコンタクト層9を露出させる第1の保護膜エッチング工程とを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-09-24 |
| 申请日期 | 2009-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61553]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福山 博. 面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置. JP2010212515A. 2010-09-24. |
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