| 經脈衝的線性射束 | |
| 哈登 詹姆士Ｍ M.; 卡爾森 史考特Ｒ R.; 馬汀森 羅伯特Ｊ J. | |
| 2014-09-16 | |
| 著作权人 | N萊特股份有限公司 |
| 专利号 | TW201435971A |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 經脈衝的線性射束 |
| 英文摘要 | 諸如退火非晶矽以形成多晶矽的製程使用藉由雷射二極體或雷射二極體陣列所提供的經脈衝的雷射射束曝光。將基於來自各自的雷射二極體的複數個射束的光學射束整形並且定向到基板。雷射二極體的負載循環被選擇為小於約0.2,以便s可以大於在連續波操作可用的。剛性或柔性基板上的非晶矽層被處理以產生具有至少50 cm2/Vs的遷移率的多晶矽層。 |
| 公开日期 | 2014-09-16 |
| 申请日期 | 2014-02-19 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58915]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | N萊特股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 哈登 詹姆士Ｍ M.,卡爾森 史考特Ｒ R.,馬汀森 羅伯特Ｊ J.. 經脈衝的線性射束. TW201435971A. 2014-09-16. |
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