| レーザー熱加工装置および方法 | |
| アンドリュー エム. ハウリールク; ウェイジアン ワン; デイビッド ジー. スティテス; ユ チュエ フォン | |
| 2012-02-02 | |
| 著作权人 | ULTRATECH STEPPER INC |
| 专利号 | JP2012023397A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザー熱加工装置および方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザー熱加工装置および方法を提供すること。 【解決手段】1つ以上のワークピース領域を有するワークピースのレーザー熱加工(LTP)を実施する装置である。この装置は、1000より多い空間モードを有し、かつ1ナノセカンドと1マイクロセカンドの間の時間パルス長を伴う1つ以上の放射パルスを放出し得る、パルス化した半導体光源、ワークピースを支持するためのワークピースステージ、および露光領域を有する照明光学系を備える。この系は、露光領域内で、±5%未満の放射度均一性を有する1つ以上の放射パルスを用いて、1つ以上のワークピース領域の少なくとも1つを照射するように、レーザー光源とワークピースステージとの間に配置される。 【選択図】なし |
| 公开日期 | 2012-02-02 |
| 申请日期 | 2011-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58720]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ULTRATECH STEPPER INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アンドリュー エム. ハウリールク,ウェイジアン ワン,デイビッド ジー. スティテス,等. レーザー熱加工装置および方法. JP2012023397A. 2012-02-02. |
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