光ピックアップ装置、集積回路および光ピックアップ装置のレーザ出力制御方法
内山 久嘉; 新井 政至; 小島 弘; 栗原 塁
2012-10-11
著作权人SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES LLC
专利号JP2012195044A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光ピックアップ装置、集積回路および光ピックアップ装置のレーザ出力制御方法
英文摘要【課題】 単層および多層の光ディスクに応じて可変抵抗をそれぞれ調整することなく、バックモニタ用光検出器を用いて多層の光ディスクの再生に対応する。 【解決手段】 第1の波長のレーザ光を出射する第1のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードから光ディスク側でない後方に出射されるレーザ光を受光して第1の電流信号を出力するバックモニタ用光検出器とを含む第1のレーザ光源と、前記第1の電流信号が流れる抵抗と、前記抵抗に発生する電圧を第2の電流信号に変換する電圧·電流変換回路と、前記第2の電流信号を電圧信号に変換して出力する電流·電圧変換回路とを含む受光回路と、前記受光回路から出力される前記電圧信号に応じて前記第1のレーザダイオードを駆動する第1の駆動回路と、を有する。 【選択図】 図1
公开日期2012-10-11
申请日期2011-03-18
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58631]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES LLC
推荐引用方式
GB/T 7714
内山 久嘉,新井 政至,小島 弘,等. 光ピックアップ装置、集積回路および光ピックアップ装置のレーザ出力制御方法. JP2012195044A. 2012-10-11.
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