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	レーザ光検出回路及び光ディスク装置
	栗原 塁; 川島 貴宏
	2011-11-10
著作权人	オンセミコンダクター·トレーディング·リミテッド
专利号	JP2011227952A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	レーザ光検出回路及び光ディスク装置
英文摘要	【課題】光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザ1のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ1の破壊を防止する。 【解決手段】レーザ光検出回路3は、フォトダイオード10、電流電圧変換回路11、前段の増幅回路12、出力段の第1の増幅回路13、第2の増幅回路14、第1の出力端子15、第2の出力端子16,入力端子17、第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25を含んで構成される。動作停止モードの場合、第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25はオンするように構成されている。第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25がオンすると、第1の出力端子15の第1の出力電圧Vopは電源電圧Vccに設定され、第2の出力端子16の第2の出力電圧Vonは接地電圧Vssに設定される。 【選択図】図1
公开日期	2011-11-10
申请日期	2010-04-16
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58527]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	オンセミコンダクター·トレーディング·リミテッド
推荐引用方式 GB/T 7714	栗原 塁,川島 貴宏. レーザ光検出回路及び光ディスク装置. JP2011227952A. 2011-11-10.

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