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	边发射激光器耦合结构及其制作方法
	何慧敏; 孙瑜; 刘丰满
	2018-11-23
著作权人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
专利号	CN108879329A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	边发射激光器耦合结构及其制作方法
英文摘要	本发明公开了一种边发射激光器耦合结构及其制作方法，其中所述方法包括：在第一基板表面开设至少一个凹槽；相应地，凹槽两侧形成凸起；在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器；其中，凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面；将至少一个凸起从第一基板上切割下来，得到块体；将块体贴装至第二基板的第一表面，并且使块体的第二表面朝向第二基板的第一表面；第一基板的第一表面上或第二表面一侧设置有待耦合器件的入光面，第二表面与第一表面相对设置。通过本发明，能够大批量生产出一种边发射激光器耦合结构，使得边发射激光器的出射光不经反射直接射向待耦合器件的入光面。
公开日期	2018-11-23
申请日期	2018-08-01
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57956]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	何慧敏,孙瑜,刘丰满. 边发射激光器耦合结构及其制作方法. CN108879329A. 2018-11-23.

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