垂直共振腔面射型雷射之製造方法 | |
植田崇資; 鈴木新; 關仁士 | |
2016-02-16 | |
著作权人 | 村田製作所股份有限公司 |
专利号 | TW201607190A |
国家 | 中国台湾 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 垂直共振腔面射型雷射之製造方法 |
英文摘要 | 在藉由加熱水蒸氣氧化之方法形成電流狹窄層時,相較於以往使基板內之氧化分布均勻化。 在垂直共振腔面射型雷射之製造方法,藉由加工包含被氧化層之積層體使被氧化層之側面露出後,藉由加熱水蒸氣氧化步驟形成電流狹窄層。加熱水蒸氣氧化步驟,包含:在設在能使內部氣密之腔室101之內部之載台102載置具有加工後之積層體之基板110之步驟;在腔室101外部之純水槽122,藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生水蒸氣氣體之步驟;以及以控制流量之方式將水蒸氣氣體往成為真空環境氣氛之腔室101內供應之步驟。 |
公开日期 | 2016-02-16 |
申请日期 | 2015-06-22 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57819] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 村田製作所股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 植田崇資,鈴木新,關仁士. 垂直共振腔面射型雷射之製造方法. TW201607190A. 2016-02-16. |
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