垂直共振腔面射型雷射之製造方法
植田崇資; 鈴木新; 關仁士
2016-02-16
著作权人村田製作所股份有限公司
专利号TW201607190A
国家中国台湾
文献子类发明申请
其他题名垂直共振腔面射型雷射之製造方法
英文摘要在藉由加熱水蒸氣氧化之方法形成電流狹窄層時,相較於以往使基板內之氧化分布均勻化。 在垂直共振腔面射型雷射之製造方法,藉由加工包含被氧化層之積層體使被氧化層之側面露出後,藉由加熱水蒸氣氧化步驟形成電流狹窄層。加熱水蒸氣氧化步驟,包含:在設在能使內部氣密之腔室101之內部之載台102載置具有加工後之積層體之基板110之步驟;在腔室101外部之純水槽122,藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生水蒸氣氣體之步驟;以及以控制流量之方式將水蒸氣氣體往成為真空環境氣氛之腔室101內供應之步驟。
公开日期2016-02-16
申请日期2015-06-22
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57819]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位村田製作所股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
植田崇資,鈴木新,關仁士. 垂直共振腔面射型雷射之製造方法. TW201607190A. 2016-02-16.
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