| 一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb:YAG薄片激光器 | |
| 魏志义; 彭英楠; 田文龙; 朱江峰 | |
| 2015-08-19 | |
| 著作权人 | 西安电子科技大学 |
| 专利号 | CN104852275A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb:YAG薄片激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb：YAG薄片激光器，包括输出泵浦激光的泵浦源，提供增益的Yb：YAG薄片激光晶体，增大泵浦激光吸收效率的泵浦模块，补偿腔内色散的第一GTI镜和第二GTI镜；启动并维持锁模运转的半导体可饱和吸收镜；用于构成共焦结构的第一凹面镜和第二凹面镜；产生非线性效应并使输出振荡激光线偏振的石英片；增大半导体可饱和吸收镜上功率密度的第三凹面镜；输出高功率锁模激光脉冲的输出镜。本发明在Yb：YAG薄片激光晶体上实现了锁模，获得了12.1W的飞秒激光脉冲输出；相比于以往的块状固体激光器，功率得到了明显的提升，同时输出的激光具有良好的高光束质量。 |
| 公开日期 | 2015-08-19 |
| 申请日期 | 2015-05-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志义,彭英楠,田文龙,等. 一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb:YAG薄片激光器. CN104852275A. 2015-08-19. |
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