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	Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts
	KANSKAR, MANOJ; CHEN, ZHIGANG
	2019-02-07
著作权人	NLIGHT, INC.
专利号	US20190044302A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts
英文摘要	Laser diode submounts include a SiC substrate on which a thick conductive layer is supplied to use in mounting a laser diode. The thick conductive layer is typically gold or copper, and can be electrically coupled to a base laser that is used to define laser diode couplings.
公开日期	2019-02-07
申请日期	2018-08-01
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57730]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NLIGHT, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	KANSKAR, MANOJ,CHEN, ZHIGANG. Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts. US20190044302A1. 2019-02-07.

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