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	一步法制备多色微纳晶的工艺方法
	廖清; 尹璠; 付红兵
	2019-10-22
著作权人	首都师范大学
专利号	CN110359086A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一步法制备多色微纳晶的工艺方法
英文摘要	本发明公开了一步法制备多色微纳晶的工艺方法。该方法是通过物理气相沉积的办法实现的，包括如下步骤：在真空条件下，将半导体荧光材料分子放在真空管式炉热源位置。设置好程序升温，根据分子的热重曲线设置分子的升华温度。并由左向右通一定速率的惰性载气，如氮气、氩气等，在气体的下游放置好载玻片用来收集棒状微纳晶。半导体由于其凝华温度的专一性，可以在固定的区域可以得到较纯的棒状半导体微纳晶。该方法解决了棒状微纳晶的纯度问题，使微纳晶纯度高达达到100％。所用设备简单，快速方便，操作简单，成本低，可重复性非常高，较高纯度的微纳晶提高了半导体激光器的各项性能，降低半导体激光器阈值，提高激光器稳定性，具有较高的应用价值。
公开日期	2019-10-22
申请日期	2018-04-11
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57259]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	首都师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	廖清,尹璠,付红兵. 一步法制备多色微纳晶的工艺方法. CN110359086A. 2019-10-22.

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