| 半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法 | |
| 李金野; 刘建国; 戴双兴 | |
| 2019-11-01 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN110401101A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法，该耦合结构包括激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光芯片的高效率耦合，有利于为硅光混合集成提供高品质光源，本发明在硅光芯片耦合端面镀了增透膜，同时减小了耦合损耗和激光器的RIN噪声，且在激光器芯片和硅光芯片的缝隙中填充折射率匹配胶，减小了光场散射损耗，进一步减小了耦合损耗。 |
| 公开日期 | 2019-11-01 |
| 申请日期 | 2019-07-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57234]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金野,刘建国,戴双兴. 半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法. CN110401101A. 2019-11-01. |
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