一种小间距垂直腔面发射激光器阵列的制备方法 | |
刘嵩; 梁栋 | |
2019-11-05 | |
著作权人 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
专利号 | CN110416874A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种小间距垂直腔面发射激光器阵列的制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种小间距垂直腔面发射激光器阵列的制备方法,通过该方法能够提高小间距垂直腔面发射激光器阵列制备过程中对精密刻蚀等环节的宽容度,在工艺中利用融合氧化区域,还能将反光单元间距进一步缩小,从而大大简化了现有工艺并提升了效率,同时器件的良率也能得到极大的改善,具有现有技术所无法提供的诸多有益效果。 |
公开日期 | 2019-11-05 |
申请日期 | 2019-09-18 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57228] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘嵩,梁栋. 一种小间距垂直腔面发射激光器阵列的制备方法. CN110416874A. 2019-11-05. |
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