| 一种脊形半导体激光二极管的制备方法 | |
| 张雨; 于军; 张新; 朱振 | |
| 2018-11-16 | |
| 著作权人 | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 专利号 | CN108832483A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种脊形半导体激光二极管的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种脊形半导体激光二极管的制备方法，包括：(1)制备GaN LD外延片(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层(3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层(4)蒸镀P型欧姆接触电极(5)制备P型层加厚电极；(6)蒸镀N型欧姆接触电极(7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。本发明在所述未设置脊形结构的P型波导层上、在所述脊形结构的侧壁上以及脊形结构的两端均设置有由离子注入方法制备的绝缘层，从而得到最小脊条宽度为1μm的激光器，易实现单模，热稳定性好，且不需要剥离，工艺简单。 |
| 公开日期 | 2018-11-16 |
| 申请日期 | 2018-06-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57128]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雨,于军,张新,等. 一种脊形半导体激光二极管的制备方法. CN108832483A. 2018-11-16. |
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