一种倒装VCSEL芯片及制作方法
赵炆兼; 贾钊; 曹广亮; 郭冠军; 马祥柱
2018-11-13
著作权人扬州乾照光电有限公司
专利号CN108808444A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种倒装VCSEL芯片及制作方法
英文摘要本发明公开了一种倒装VCSEL芯片及制作方法,该倒装VCSEL芯片包括:衬底;设置在所述衬底上的金属层;设置在所述金属层背离所述衬底一侧的透明材料层;设置在所述透明材料层背离所述金属层一侧的欧姆接触层,且所述欧姆接触层部分覆盖所述透明材料层;设置在所述欧姆接触层背离所述透明材料层一侧的量子阱层;设置在所述量子阱层背离所述欧姆接触层一侧的布拉格反射镜层;保护层,所述保护层覆盖所述欧姆接触层、所述量子阱层和所述布拉格反射镜层的侧壁以及覆盖暴露出的所述透明材料层的表面,且部分覆盖所述布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。该倒装VCSEL芯片电压低,且外延生长时间短。
公开日期2018-11-13
申请日期2018-06-19
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57108]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
赵炆兼,贾钊,曹广亮,等. 一种倒装VCSEL芯片及制作方法. CN108808444A. 2018-11-13.
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