一种倒装VCSEL芯片及制作方法 | |
赵炆兼; 贾钊; 曹广亮; 郭冠军; 马祥柱 | |
2018-11-13 | |
著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
专利号 | CN108808444A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种倒装VCSEL芯片及制作方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种倒装VCSEL芯片及制作方法,该倒装VCSEL芯片包括:衬底;设置在所述衬底上的金属层;设置在所述金属层背离所述衬底一侧的透明材料层;设置在所述透明材料层背离所述金属层一侧的欧姆接触层,且所述欧姆接触层部分覆盖所述透明材料层;设置在所述欧姆接触层背离所述透明材料层一侧的量子阱层;设置在所述量子阱层背离所述欧姆接触层一侧的布拉格反射镜层;保护层,所述保护层覆盖所述欧姆接触层、所述量子阱层和所述布拉格反射镜层的侧壁以及覆盖暴露出的所述透明材料层的表面,且部分覆盖所述布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。该倒装VCSEL芯片电压低,且外延生长时间短。 |
公开日期 | 2018-11-13 |
申请日期 | 2018-06-19 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57108] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵炆兼,贾钊,曹广亮,等. 一种倒装VCSEL芯片及制作方法. CN108808444A. 2018-11-13. |
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