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	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法
	任忠祥; 苏建; 夏伟; 徐现刚
	2018-10-09
著作权人	山东华光光电子股份有限公司
专利号	CN108631153A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法
英文摘要	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法，该半导体激光器芯片包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层；其制备步骤包括：（1）形成外延片；（2）一次光刻；（3）蒸镀高反射率光学膜；（4）二次光刻；（5）三次光刻；（6）制备P电极层；（7）衬底减薄；（8）制备N电极层；（9）巴条解离和镀膜；（10）形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制，使激光器芯片的阈值电流降低，光电转换效率提升，明显改善了输出光形，消除了杂散光，提升了芯片可靠性。
公开日期	2018-10-09
申请日期	2017-03-22
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57032]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	任忠祥,苏建,夏伟,等. 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法. CN108631153A. 2018-10-09.

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