| 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器 | |
| 崔碧峰; 程瑾; 王阳; 房天啸; 郝帅 | |
| 2018-09-07 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN108512032A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。 |
| 公开日期 | 2018-09-07 |
| 申请日期 | 2018-04-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56971]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,程瑾,王阳,等. 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器. CN108512032A. 2018-09-07. |
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